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电子元器件之贴片整流二极管

文章出处：公司动态 网责任编辑：十大赌博信誉的平台 阅读量： 发表时间：2021-09-09 09:14:39

电子元器件贴片整流二极管贴片二极管厂家

整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低.

硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，主要用于各种低频整流电路。

文章配图18

（1）zui大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的zui大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。

（2）zui高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的zui大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV

（3）zui大反向电流IR：它是二极管在zui高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。

（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

（5）zui高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的zui高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。

（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及zui大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

贴片二极管2